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湿法工艺材料
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| 化学渡液


薄膜蚀刻液

品牌
产地 品名 型号 应用
Transene

美国 镍蚀刻液 TFB
标准镍蚀刻液用于蒸镀镍薄膜
TFG
高纯蚀刻液用于电沉积镍薄膜,与铜、砷化镓及其他三五族化合物相适应。
TYPE-I
高纯蚀刻液用于镍、镍铁合金及某些不锈钢
金蚀刻液 TFA
高纯度、低钠、0.2um过滤的蚀刻液可用于半导体和微电子领域,蚀刻金和镍。
TFAC
选择性的蚀刻液可用于砷化镓及其他三五族金属间化合物和半导体
GE-8148
选择性的蚀刻液可在镍膜使用,较快的蚀刻速率。可消除在种子层快速的侧向蚀刻。
GE-8110
控制蚀刻速度,可在镍膜使用。
GE-8111
低pH值,慢蚀刻速率,与镍相适应。
金/银清洗液
使用蚀刻液前预清洗
镍铬蚀刻液 TFN
最小化的底切、优异的精细线条控制,一致化操作
银蚀刻液 TFS
选择性的银蚀刻液,与负性及正性光刻胶相适合,用于薄膜微电子开发电路元件
铬蚀刻液 1020

蚀刻速率快、最小化底切,适合于高精度光刻掩膜版蚀刻
1020AC
蚀刻速率慢以消除底切,具有广泛的相适性
CRE-473
与铜、镍、金以及钼薄膜相适应
CE-5M
理想的高精度光刻掩膜版蚀刻液
TFE
用于铬-硅薄膜,与铜薄膜相适应
CE-8002-A
铬蚀刻液CE-8002-A是铈铵/ 醋酸基蚀刻液,用于铬基板蚀刻,蚀刻速度慢而没有底切。通常室温下蚀刻时间20-60秒。
CE-8001-N
铬蚀刻液CE-8001-N是硝酸铈铵/ 硝酸基蚀刻液,用于所有类型的铬基板蚀刻,蚀刻速度由基板中铬密度和工艺条件决定。通常室温下蚀刻时间15-55秒。这种蚀刻液也有添加了表面活性剂的铬蚀刻液CE-8001-NS供应
钌蚀刻液 RU-44
钌蚀刻液RU-44是硝酸铈铵/ 硝酸基蚀刻液,用于所有类型的蒸镀钌薄膜的蚀刻。蚀刻速度由基板中钌密度和工艺条件决定。通常室温下蚀刻时间15-55秒。这种蚀刻液也有添加了表面活性剂的钌蚀刻液RU-44S供应。钌蚀刻液RU-44适合于亚微米光刻应用。如果需要快速蚀刻,铬-陶瓷蚀刻液TFE可以使用
铝蚀刻液 TYPE-A
标准铝蚀刻液用于硅器件和其他微电子应用
TYPE-D
标准铝蚀刻液用于砷化镓、砷和磷化镓器件以及镍铬电阻上铝金属化膜的制作
TYPE-F
铝蚀刻液F型是一种稳定的蚀刻液,可用于在硅器件上及集成电路应用中蚀刻铝或铝-硅金属化膜。铝蚀刻液F型具有独特的性质可以很容易地克服许多在铝蚀刻时遇到的问题如金属残留等
印刷电路板铜蚀刻液 TYPE-100
用于浸没式蚀刻
TYPE-200
用于喷雾蚀刻技术
APS-100
用于薄膜和印刷电路板
TYPE-49-1
铜蚀刻液49-1是一种高纯的、可控的蚀刻液,用于特殊微电子蚀刻如砷化镓或铜。铜蚀刻液BTP可进行快速蚀刻,同时保持了镍的相适性
BTP
钯蚀刻液 TFP
钯蚀刻液TFP设计用于溅射、蒸镀和非电镀沉积薄膜蚀刻高分辨图案轮廓,这些薄膜普遍用于硅片的镍和金的金属化薄膜的阻挡层
EC
钯蚀刻液EC主要用于钯基板的高精细电化学蚀刻,合金如钯-银也可很容易蚀刻。电化学蚀刻可在基板材料上精细、准确地蚀刻
钛蚀刻液 TFT
设计用于蚀刻通常用做粘接和阻挡层的蒸镀膜,优异的分辨率、光刻胶相适性以及最小化的底切
TFTN
主要用于蚀刻玻璃或二氧化硅基板上沉积的钛薄膜,不含氢氟酸
钛钨蚀刻液 TiW-30
钛钨蚀刻液TiW-30适用于微电子制作中钛-钨粘接层的选择性蚀刻液,可有效地蚀刻沉积在氮化硅或二氧化硅表面的钛-钨薄膜,具有优异的蚀刻精度和蚀刻速度控制,与正负性光刻胶广泛的适应性
氧化铁掩膜版蚀刻液 ME-10
固体器件制作非常依靠使用光刻技术制备图案. 标准蚀刻液
ME-30
固体器件制作非常依靠使用光刻技术制备图案. 节约成本的蚀刻液
钼蚀刻液 TFM
用于半导体和微电子技术的钼薄膜金属化层的选择性蚀刻液
钨蚀刻液 TFW
用于半导体和微电子技术的钨薄膜金属化层的选择性蚀刻液
钽蚀刻液 SIE-8607
钽蚀刻液SIE-8607和111是高纯的蚀刻液用于精确、干净地蚀刻钽、氮化钽和氧化钽薄膜,与111相比SIE-8607是更强的蚀刻液可进行快速蚀刻
TYPE-111
硅蚀刻液 PSE-200
碱性蚀刻液,用于< 110 > 晶格取向硅片蚀刻垂直侧壁
PSE-300

乙二胺基蚀刻液,用于< 100 >晶格取向硅片蚀刻
砷化镓蚀刻液 GA Etch 100
砷化镓蚀刻液提供了针对砷化镓和三元混合物如镓-铟-砷和铝-镓-砷等的各向同性或各向异性蚀刻,结合二氧化硅掩模可进行干净、均匀蚀刻;
酸性、各向同性蚀刻液
GA Etch 300
多功能性蚀刻液,广泛的光刻胶相适性,以及较长的保存期


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脚注信息
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